Description

2N3A3110-C TOSHIBA

2N3A3110-C是一款由东芝公司生产的TO-220封装的N沟道场效应晶体管(FET)。该器件具有高电流、高电压和低功耗等特点，适用于各种电源和开关应用。

产品参数

参数值单位

管芯类型N沟道场效应晶体管(FET)

封装TO-220

漏极电流(ID)10 A A

漏极-源极电压(VDS)60 V V

栅极-源极电压(VGS)±20 V V

栅极漏极电荷(Qg)25 nC nC

通导(gm)5 S S

功率耗散(PD)50 W W

工作温度范围-55°C至+150°C°C

存储温度范围-65°C至+175°C°C

产品应用

2N3A3110-C可用于以下应用：

电源电路

开关电路

驱动电路

放大器电路

其他需要高电流、高电压和低功耗的应用

产品优势

2N3A3110-C具有以下优势：

高电流：该器件具有高电流能力，可承受高达10 A的电流。

高电压：该器件具有高电压额定值，可承受高达60 V的电压。

低功耗：该器件具有低功耗特性，可提高效率。

可靠性：该器件采用东芝公司成熟的制造工艺生产，具有高可靠性。

总结

2N3A3110-C是一款高电流、高电压、低功耗且可靠的N沟道场效应晶体管。它适用于各种电源和开关应用，是工程师和爱好者的理想选择。

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